一、存储与解冻规范

存储条件

温度：需在-40℃ 避湿冷冻存储，保质期6–12个月158。

包装：针筒定制包装（按用量定制容量），避免反复冻融58。

解冻与启用

解冻：室温（25℃）自然解冻≥2小时，禁止加热加速13。

启用时效：解冻后48小时内必须用完，超时银粉沉降导致导电性下降168。

二、固化工艺指南

固化温度与时间选择

固化方案 温度/时间 适用场景

高速产线 175℃/45秒 自动化贴片、快速修复

常规推荐 150℃/5分钟 芯片粘接（硅/陶瓷基板）

低温敏感基板 120℃/15分钟 柔性电路、热敏感器件

超低温固化 80℃/3小时 聚合物基板或低温耐受器件 。

固化设备

烘箱、加热板、隧道炉均可，需确保温度均匀性（±5℃）。

固化后冷却：自然降温至60℃以下再移动，避免热应力开裂。

技术提示：固化前需预烘基板（80℃/10分钟）去除湿气，提升粘接可靠性。

三、操作工艺规范

搅拌要求

解冻后垂直搅拌10分钟（单向匀速），避免气泡混入，确保银粉分布均匀。

搅拌后静置5分钟消泡，粘度检测范围：2200–3200 cps（23℃，Brookfield转子100rpm）。

涂覆工艺

点胶：针头内径≥150μm，压力0.2–0.4MPa，点胶高度1–2mm。

丝网印刷：网目数≥200，刮刀角度60°，速度10–20mm/s。

环境控制：湿度<60%，温度23±2℃，防止吸湿气泡。

操作时效

操作时间（Pot Life）：2.5天（25℃下粘度倍增时间），超时需废弃。

四、质量控制与性能验证

关键性能标准

参数 标准值 测试方法

体积电阻率 ≤0.0004 Ω·cm 四探针法

热导率 2.5 W/mK 稳态热流法

粘接强度 >5 kg（2mm×2mm芯片） 剪切测试（MIL-STD-883）

玻璃化温度（Tg） ≥80℃ DSC

热膨胀系数（CTE） α1:30×10⁻⁶ in/in/℃（Tg以下）α2:158×10⁻⁶ in/in/℃（Tg以上） TMA 。

可靠性测试要求

热循环：-55℃↔150℃循环1000次，粘接强度衰减≤15%。

湿热老化：85℃/85%RH环境1000小时，电阻变化率≤10%。

五、应用场景操作指南

芯片粘接

基板处理：硅/陶瓷基板需等离子清洗（O₂，100W/2分钟），去除有机污染物。

胶量控制：芯片面积≤4mm²时，胶厚15–25μm；面积>4mm²时增加至30–40μm。

高频器件（如77GHz雷达）

涂覆后需真空脱泡（-95kPa/5分钟），减少介电损耗。

返修工艺

剥离方法：局部加热至200℃ 软化胶层，用镊子轻撬芯片，残胶用丙酮擦拭。

六、常见问题排查

问题现象 原因分析 解决方案

导电性下降 银粉沉降未搅匀 解冻后充分单向搅拌

固化后气泡 环境湿度过高或脱泡不足 涂覆前真空脱泡，湿度<60%

粘接强度不足 基板污染或胶量不足 等离子清洗，增加胶厚20%

点胶拉丝 针头内径过小或温度过低 更换≥200μm针头，环境升温至25℃ 478。

七、国产替代方案（7200E）

性能对比：

电阻率更低（0.0002 Ω·cm），热导率更高（3.2 W/mK）。

触变指数5.0（点胶精度提升），成本降低80%（约20元/克）。

使用注意：长期可靠性数据需补充航天级验证，建议民用领域优先选用5。

操作总结：H20E的核心在于存储规范性（-40℃冷冻）、搅拌彻底性（单向10分钟）及固化精准控制（温度/时间匹配基板）。高频应用需强化脱泡，大芯片粘接注重胶厚与CTE匹配。国产7200E在成本与工艺性上占优，但高可靠场景仍建议原厂型号。